半导体压力传感器分为半导体PN结(或肖特结)在应力作用下I-个性变动的道理造作的各类压敏二极管和晶体管。这种压力敏感元件的机能极度不不变，没有得到很大的发展。另一种是基于半导体压阻成效的传感器，是半导体压力传感器的重要种类。早期，大无数半导体应变片粘贴在弹性元件上，形成各类应力和应变丈量仪器。1960年代，随着半导体集成电路技术的发展，出现了半导体压力传感器，以扩散电阻为压力部件。这种压力传感器结构单一靠得住，没有相对的活动部件，传感器的压力敏感部件和弹性部件融为一体，预防了机械滞后和蠕变，提高了传感器的机能。

半导体抗压成效半导体拥有与表力有关的个性，即阻力率(用符号锆暗示)随接受的应力而变动，称为抗压成效。单元应力下产生的阻力率的相对变动称为阻力系数，用符号π暗示。以数学大局暗示α/α=σ。

官方中σ暗示应力。半导体阻力受应力时产生的阻力值的变动(壹R/R)重要由阻力率的变动决定，因而上述阻力效应的阐发大局也能够写成壹R/R=πσ。

在表力的作用下，半导体晶体产生肯定的应力(σ)和应变(?)，其关系由资料的杨氏模量(y)决定，即Y=σ/◎。

半导体接受的应变暗示阻力成效时，为壹R/R=G穴位。

G是压力传感器的敏感因子，代表单元应变引起的电阻值的相对变动。

压力系数或敏感成分是半导体压力效应的根基物理参数。就像应力和应变关系一样，它们之间的关系取决于资料的杨氏模量，即G=πY。

由于半导体晶体在弹性上各向异性，杨氏模量和压阻系数随晶体方向而变动。半导体的阻力成效也与半导体的阻力率亲昵有关，阻力率越低，活络度越幼。暖气片的压阻成效取决于暖气片的晶体方向和杂质浓度。杂质浓度重要指散热器表表的杂质浓度。

常用的半导体压力传感器使用n型硅片作为基材。首先，硅片造成肯定几何状态的弹性受力部件。在这个硅片的受力部门，沿着分歧的结晶造作4个p型扩散电阻，用这4个电阻组成4个臂惠斯登桥。在表力的作用下，阻值的变动变为电信号输出。这种拥有压力效应的惠斯登电桥是压力传感器的心脏，通常称为压力电桥。压力桥架的特点是①桥架四臂电阻值相称(均为R0)②桥架相邻臂架的压力效应值相称，符号相反③桥架四臂电阻温度系数一样，始终处于统一温度。R0为室温下无应力时的电阻值；RT为温度变动时的电阻温度系数（α）变动；△R为接受应变时引起的阻力值变动；桥梁输出电压为u=I0壹=恒流源桥=I0RG（恒流源桥）。

其中I0为恒流源电流，e为恒压源电压。压力电桥的输出电压与应变(莪)直接成正比，与阻温系数引起的RT无关，大大降低了传感器的温度漂移。半导体压力传感器中利用最宽泛的是检测流体压力的传感器。其重要结构是由单晶硅资料组成的薄膜盒。膜片为杯状，杯底为表力部门，压力电桥为杯底。用同样的硅单晶资料造成环形座椅，将薄膜粘在座椅上。该压力传感器拥有活络度高、体积幼、固体化蹬着点，已宽泛利用于航空、航空、自动仪器、医疗仪器等领域。

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