压力传感器的主题资料目前有好多种，下面单一介绍几种主题资料的机能。

1，单晶硅。

硅宽泛利用于集成电路和微电子器件的出产，重要利用硅的电学个性；在微机电系统微机械结构中，新一代硅机电器件是利用其机械个性造作出来的。硅资料储量丰硕，成本便宜。硅晶体容易成长，且拥有超纯无杂质的资料，杂质在几十亿量级，因而内耗幼，机械品质因数可高达10-6个数量级。设计优良的微自动结构，如微传感器，能够实现最幼的迟滞和蠕变，优良的沉复性，持久不变性和高靠得住性。因而，选取硅资料造成的硅压阻式压力传感器有利于解决持久困扰传感器领域的三大问题——迟滞性、沉复性和持久漂移。

单晶硅电阻应变敏感系数高。在一样的输入下，信号输出能够高于金属应变仪，通常是金属的10-100倍，对输入信号能够敏感应10-6级甚至10-8级。硅资料的造作工艺与集成电路工艺兼容性好，便于幼型化、集成化和大规模出产。硅能够被好多资料覆盖，好比氮化硅，所以能够被良好的防腐介质；。拥有更好的耐磨性。

硅资料的利益能够分为:优异的机械机能；微机械结构和微机电元件便于批量加工；兼容微电子集成电路工艺；微机械和微电子电路易于集成。

正是这些优势使硅成为造作微机电和微机械结构的最沉要和首选的资料。但硅对温度极其敏感，其电阻温度系统靠近2000×10-6/k量级，因而所有基于硅压阻效应的传感器都必须进行温度赔偿，这是一个弊端；另一方面，它能够在丈量其他参数的同时直接丈量温度。

2，多晶硅。

多晶硅是很多单晶(晶粒)的聚合体。这些晶粒的分列是无序的，分歧的晶粒有分歧的单晶取向，每个晶粒都拥有单晶的特点。晶粒间的地位称为晶界，晶界对其电学个性的影响能够通过掺杂原子浓度来调节。

多晶硅薄膜拥有工作温度领域宽(-60~+300℃)、电阻率可调、温度系数可调、应变敏感系数高、电阻值调整正确的特点。因而，在开发微传感器和微致动器时，使用多晶硅薄膜的这些电个性有时比仅使用单晶硅更有价值。例如，压敏隔阂由拥有优异机械机能的单晶硅造成，其覆盖有介电膜二氧化硅，而后在二氧化硅上沉积多晶硅压阻膜。这种混合结构的微型压力传感器充分阐扬了单晶硅和多晶硅资料的优势，其工作高温至少可达200℃甚至300℃；低温是-60℃。

3，硅蓝宝石。

硅蓝宝石资料是通过在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上表延成长硅晶体而形成的。硅晶体能够看作是蓝宝石的延长，它组成了硅蓝宝石SOS(SiliconNapphire)晶片。蓝宝石是绝缘体，沉积在上面的每个电阻的电学性质是齐全独立的。这不仅能够解除PN结泄漏引起的漂移，还能够提供高应变效应和高温(≥300℃)下的工作不变性。蓝宝石资料的迟滞和蠕变能够忽略不计，因而拥有极好的沉复性。蓝宝石也是惰性资料，化学不变性好，耐侵蚀，抗辐射能力强；蓝宝石机械强度高。

综上所述，充分利用硅蓝宝石的个性，能够造作出耐高温、耐侵蚀、抗辐射等机能优越的传感器和电路。但是，为了获得高精度、不变靠得住的指标，必要解决整体结构中资料之间的热匹配，不然很难达到预期指标。由于硅蓝宝石资料脆硬，硬度仅次于金刚石，造作工艺复杂。

4，化合物半导体资料。

硅是造作微机电器件和器件的重要资料。为了提高器件和系统的机能，扩大利用领域，化合物半导体资料在一些特殊技术中阐扬着沉要作用。例如，在红表、可见光和紫表成像器和探测器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表镉的百分比)和其他资料已被宽泛使用。

5，碳化硅薄膜资料。

碳化硅是另一种用于特殊环境的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成。通过离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅中，能够获得高质量的立方结构碳化硅。随着掺杂浓度的分歧，晶体结构也分歧，能够暗示为β-SiC。β暗示分歧的晶体结构。通过离子注入获得的SiC资料拥有优异的物理、化学和电学机能，阐发出高强度、高刚度、低内部残存应力、强化学惰性、宽带隙(靠近硅的1-2倍)和高压阻系数，因而，SiC资料在高温下能够抗侵蚀和辐射，拥有不变的电学机能。极度适合高温恶劣环境下工作的MEMS。

碳化硅是一种拥有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高电子鼓和速度以及优异的机械和化学机能的资料。这些个性使得SiC资料适合造作高温、大功率、高频电子器件；也合用于造作高温半导体压力传感器。

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